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NMC508DTE 8英寸硅深槽刻蝕機 NMC508DTE 8 Inch Si Trench Etcher
NMC508DTE設備是針對硅功率器件開發的專用刻蝕設備,主要用于8英寸及以下IGBTMOSFETSuper Junction中的Deep Trench刻蝕。不同于MEMS工藝的深硅刻蝕,NMC508DTE設備針對的是單步平滑刻蝕工藝,保證功率器件的電壓性能。

應用領域

 功率器件

適用工藝

IGBT、MOSFET、Super Junction

產品優勢

  • 中心/邊沿獨立MFC設計,保證8寸及以下工藝均勻性。
  • 獨特設計的氣體比例控制,可以實現刻蝕角度80°-90°可調。
  • 配置低頻偏壓,可實現高達25:1的單步平滑硅刻蝕工藝。
  • 設備關鍵部件均采用電磁場屏蔽保護,具有優良的等離子體均勻性。
  • 采用200-800nm全光譜OES終點監測系統,可針對不同的工藝應用靈活配置終點監測方案。
  • 軟件具有安全方便的權限管理,人性化的操作界面和完善的日志記錄功能,支持工廠自動化(FA)。
聯系方式
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