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GSE C200系列等離子刻蝕機 GSE C200 Series Plasma Etcher
  GSE C200系列單片刻蝕機采用超高密度等立體源,刻蝕速率高、均勻性好,顆粒控制能力優異,易維護,性能穩定。其在GaN、SiC、SiO2、Al2O3等材料的刻蝕上性能優異、工藝窗口寬,易于同相關工藝整合。
  本刻蝕機已在多條產線驗證成功,積累了豐富的刻蝕經驗,能最大限度提高GaN和SiC功率器件的性能,同時保證性價比。

應用領域:??

功率器件、失效分析、光通信器件


適用工藝:

  • GaN power器件GaN低速低損傷柵槽刻蝕
  • GaAs VCSEL器件臺面刻蝕
  • GaAs HBT/pHEMT 臺面和背孔刻蝕
  • InP光柵和波導刻蝕


產品優勢:

  • 可定制化高精度偏壓射頻—精確控制DC Bias,實現GaN等材料的低速低損傷刻蝕。
  • 下電極加熱—-20oC~180oC,滿足III-Vs刻蝕需求。
  • 自動匹配射頻系統—實現快速、有效、準確匹配,保證工藝可重復性。
  • 提供多種新工藝開發及解決方案。






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