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GDE C200系列等離子刻蝕機 GDE C200 Series Plasma Etcher
  GDE C200系列單片刻蝕機采用超高密度等立體源,刻蝕速率高、均勻性好,顆粒控制能力優異,易維護,性能穩定。其在GaN、SiC、SiO2、Al2O3等材料的刻蝕上性能優異、工藝窗口寬,易于同相關工藝整合。
  本刻蝕機已在多條產線驗證成功,積累了豐富的刻蝕經驗,能最大限度提高GaN和SiC功率器件的性能,同時保證性價比。

應用領域:

  功率器件


適用工藝:

  • GaN RF器件的SiC背孔刻蝕
  • SiC功率器件的柵槽刻蝕、大終端斜坡刻蝕、標記刻蝕
  • GaN RF器件的的GaN快速刻蝕
  • SiO2刻蝕
  • SiN刻蝕
  • Al2O3刻蝕
  • AlN刻蝕


產品優勢:

  • 超高密度等離子體源產生高密度等離子體。
  • ESC+機械壓環(選配)設計—可以吸附SiC、藍寶石、AlN及各種Bonding片。
  • 自動冷卻電極晶圓溫度在工藝過程中穩定可控。
  • 特殊的腔室設計顆粒控制,MTBC高。
  • 快拆設計易維護。
  • 特殊的等離子體源設計均勻性好。




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