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DSE200系列等離子刻蝕機 DSE200 Series Plasma Etcher
  DSE 200設備是針對硅功率器件開發的專用刻蝕設備,主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蝕。不同于MEMS工藝的深硅刻蝕,DSE 200設備針對的是單步平滑刻蝕工藝,保證功率器件的電壓性能。DSE 200設備針對研發/中試線/量產領域可以靈活配置平臺方式。目前DSE 200已得到多家客戶采購,設備穩定性、重復性、產品生產良率等均滿足用戶需求。

應用領域

  功率器件


產品優勢

  • 中心/邊沿獨立MFC設計,保證8寸及以下工藝均勻性。
  • 采用大抽速分子泵,工藝窗口更寬。
  • 獨特設計的氣體比例控制,可以實現刻蝕角度80°-90°可調。
  • 配置低頻偏壓,可實現高達25:1的單步平滑硅刻蝕工藝。
  • 腔室可加熱至120℃,配備優化的Dryclean制程,保證腔室環境穩定。
  • 提供多種新工藝開發及解決方案。
  • 軟件具有安全方便的權限管理,人性化的操作界面和完善的日志記錄功能,支持工廠自動化(FA)。



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