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半導體裝備 Semiconductor
HSE系列等離子刻蝕機 HSE Series Plasma Etcher
??HSE200/230設備是針對MEMS及先進封裝領域開發的深硅刻蝕設備,主要用于8英寸及以下MEMS刻蝕,以及8-12英寸先進封裝硅刻蝕。設備針對研發/中試線/量產領域可以靈活配置平臺方式。HSE200/230采用雙等離子源設計,能夠實現先進封裝領域硅材料高速、高產能的需求,同時保證200mm/300mm晶圓的均勻性控制。同時采用脈沖偏壓設計,保證TSV高深寬比及優異的形貌控制。目前HSE 200/230已在客戶現場大規模使用,設備穩定性、重復性、產品生產良率等均滿足用戶需求。

應用領域

??先進封裝,微機電系統


產品優勢

  • 中心/邊沿獨立MFC及獨立射頻結構,針對各種MEMS工藝實現均勻性可調。
  • 采用大抽速分子泵,工藝窗口更寬。
  • 采用快速MFC進氣,保證工藝形貌滿足要求。
  • 封裝工藝配置高性能靜電卡盤,實現SOG晶圓的穩定吸附。
  • MEMS設備配置獨特工藝制程,能夠實現高達70:1的深寬比刻蝕,同時確保高刻蝕速率及低粗糙度形貌控制。
  • 針對SOI Wafer,采用低頻脈沖偏壓設計,確保SOI晶圓的無底切效應。
  • 軟件具有安全方便的權限管理,人性化的操作界面和完善的日志記錄功能,支持工廠自動化(FA)。


聯系方式
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