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NMC612M 12英寸氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機 NMC612M 12 Inch TiN Metal HardMask Etcher
? ?隨著器件尺寸的不斷縮小,溝槽的深寬比越來越大,對硬掩膜材料提出了更高的要求。傳統的雙大馬士革工藝所采用的氮化硅或氧化層掩膜,由于和低k介電層之 間的選擇比不高,會導致在刻蝕完成后出現低k介電層頂部圓弧狀輪廓以及溝槽寬度擴大,最終導致完成的金屬線之間的間距過小,容易發生金屬連線之間的橋接漏 電或者金屬連線之間的直接擊穿。因此,傳統掩膜已經無法滿足在溝槽刻蝕的同時保護溝槽之間低k介質的要求,為了消除這一問題,引入了TiN金屬硬掩膜雙大 馬士革工藝。傳統的金屬刻蝕機臺無法滿足TiN刻蝕需求,必須要開發出滿足TiN硬掩膜刻蝕要求的新一代金屬刻蝕機。

應用領域:

集成電路領域


適用工藝:

28-14nm 邏輯制程中TiN MHMHRM0C結構刻蝕工藝;RRAM Al/TiNTaN等刻蝕工藝。


產品優勢:

  • 供同步脈沖雙射頻等離子源,在刻蝕形貌控制(Profile)、均勻性控制(Uniformity)、減少刻蝕損傷(Damage)、刻蝕選擇比(Selectivity)提高等方面具有技術優勢,可滿足刻蝕工藝的各項需求指標。
  • 應用多接口平臺技術,滿足客戶不同的腔室數量要求。
  • 腔室占地面積小,維護簡單方便,氣體種類齊全,可滿足不同刻蝕工藝的需求。
  • 自主開發的軟件系統和人性化的操作界面具有非常好的客戶體驗。
  • 先進的表面處理和陶瓷鍍層技術,減少缺陷和顆粒的產生。
  • 擁有暢通的國內零部件供應渠道和生產加工基礎,大幅降低用戶的整機采購成本和備品備件消耗成本。




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