首頁>產品&服務>半導體裝備 Semiconductor>等離子刻蝕設備 Etcher>NMC612D 12英寸硅刻蝕機 NMC612D 12 Inch Si Etcher
產品&服務 Products & services
半導體裝備 Semiconductor
NMC612D 12英寸硅刻蝕機 NMC612D 12 Inch Si Etcher

??隨著半導體工業邁入了28nm以下技術節點,新材料和新器件結構的引入,對各個工藝制程帶來了全新的挑戰。對刻蝕而言主要是高k介質、金屬柵材料以及三維器件結構,這些新材料和結構的引入,對刻蝕機臺提出了更高的要求。另一方面,當圖形尺寸縮小到14nm以下時,隔離溝槽(STI)刻蝕的深寬比將會達到201以上。這時候由于關鍵尺寸變化所產生的影響將不可忽略,與溝槽深寬比相關聯的刻蝕負載效應會導致溝槽刻蝕深度的不均勻性。傳統的連續波等離子體刻蝕已經無法滿足這一要求。因此,采用脈沖等離子體設計,有效改善負載效應和等離子體損傷,對于14nm刻蝕工藝是極其必要的。

應用領域:

 集成電路領域


適用工藝:

28-14nm 邏輯制程中STIGate以及FinFET結構刻蝕工藝;3D NAND領域AAGateSpacer以及臺階、SADP等刻蝕工藝;DRAM領域line cutetch backSADP以及AAGate等刻蝕工藝。


產品優勢:

  • 滿足28/14納米多種硅刻蝕工藝制程要求,并具備10/7納米工藝延伸能力。
  • 提供同步脈沖雙射頻等離子源,在刻蝕形貌控制(Profile)、均勻性控制(Uniformity)、減少刻蝕損傷(Damage)、刻蝕選擇比提高。(Selectivity)等方面具有技術優勢,可滿足刻蝕工藝的各項需求指標。
  • 應用多接口平臺技術,滿足客戶不同的腔室數量要求,可提供從單腔到4個腔室的多樣化配置方案。
  • 腔室占地面積小,維護簡單方便,氣體種類齊全,可滿足不同刻蝕工藝的需求。
  • 自主開發的軟件系統和人性化的操作界面具有非常好的客戶體驗。
  • 先進的表面處理和陶瓷鍍層技術,減少缺陷和顆粒的產生。
  • 穩定的傳輸系統和提供多選項的工藝控制流程。


聯系方式
性感美女视频-欧美人妖