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NMC612C 12英寸硅刻蝕機 NMC612C 12 Inch Si Etcher

淺溝槽隔離刻蝕和多晶硅柵極刻蝕是定義半導體器件尺寸的關鍵工序,微小的形貌和尺寸差異都會影響器件性能。必須精確控制整個晶圓的、晶圓與晶圓之間的、批次 與批次之間的、設備與設備之間的均勻性和一致性。另外,隨著技術節點的進步,對刻蝕形貌、關鍵尺寸、線寬粗糙度和殘留物控制的要求越來越嚴格。為了應對上 述挑戰,需要對刻蝕工藝各項參數進行精確控制,對刻蝕機臺各模塊的性能提出嚴格的要求。具備可調節密度分布的等離子體源、精確的離子能量控制,多區靜電卡 盤技術、多區進氣系統等功能,才能應對半導體集成電路刻蝕工藝的要求。


應用領域:

?? 應用于55nm Logic,65nm NOR flash,55nm CIS,90MCU等芯片集成電路制造領域


適用工藝:

???STIGatePAACAAONOZero, AA HM等多種刻蝕工藝。


產品優勢:

  • 精準的關鍵尺寸以及形貌控制能力,滿足集成電路干法刻蝕90nm-40nm技術帶的工藝要求。
  • 腔室結構對稱性設計,具備良好的工藝均勻性和重復性。
  • 具有多種獨立的可調節參數,工藝調試更具靈活性。
  • 多層堆疊膜層結構單腔室刻蝕能力。
  • 陶瓷鍍層的工藝部件以減少缺陷和顆粒的產生。
  • 高量產能力,目前NMC612C刻蝕機已量產55nm STI產品累計超過20萬片,良率均滿足客戶要求。
  • 自清潔技術,連續量產周期長。
  • 為客戶量身定制硬件方案。
  • 軟件量身定制,快速更新能力。



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