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著力功率器件,北方華創推動產業大發展
發布時間:2019-08-01
  近日,北方華創微電子參加了第十三屆半導體行業協會分立器件年會暨2019年中國半導體器件技術創新及產業發展論壇,此次論壇由中國半導體行業協會主辦,吸引了業內來自全國各地的多個單位的專家學者參會交流。



  董博宇博士代表北方華創發表了題為《功率器件領域硅外延工藝設備解決方案》的報告演講。隨著智慧交通、5G通信、消費電子等新興市場的迅猛發展,和功率器件的需求持續擴張,廣泛應用于功率器件襯底和制程技術的先進外延工藝解決方案正在被用戶極大關注。



  外延工藝主要為功率器件提供緩沖層、漂移層以及基區等,廣泛應用于功率器件所使用的襯底和制程技術。例如IGBT一般需要薄/厚雙層外延工藝;VDMOS需要輕摻厚膜外延工藝;雙極性器件需要埋層外延工藝等。最近發展迅速的具有超結結構的功率器件對外延工藝要求更高,多層外延生長/注入制程要求較好厚度均勻性與電阻率均勻性;SiC基場截止型JFET器件,要求在SiC外延層具備較低的缺陷密度;GaN基高遷移率功率器件,要求材料使用MOCVD的方式生長GaN外延以獲得較高的晶格匹配。

  微電子產業對硅外延材料電阻率均勻性、厚度均勻性和缺陷密度等方面有著越來越嚴格的要求,以保證功率器件的耐壓、耐擊穿等電學性能,而硅外延設備決定著硅片外延材料的制造水平。北方華創針對客戶不同的需求分別開發了SES680A多片式硅外延設備以及Esther200單片式硅外延設備。

  其中,SES680A硅外延設備可以實現高質量的外延薄膜生長,適用于厚度5-130μm范圍的外延工藝,N型、P型摻雜精確可調。該設備具有多項專利創新技術,包括中頻感應加熱溫度控制技術,獨特的進氣結構設計技術和傳輸控制技術等。

  Esther200單片硅外延系統具有先進的紅外加熱控制技術和加熱模塊設計,可實現溫度的快速升降和溫度場的精確控制,使系統具備優異的工藝重復性和設備穩定性,從而獲得良好的厚度均勻性、電阻率均勻性,零滑移線和低缺陷密度的外延層生長。同時,獨特的腔室結構設計使得該系統可實現常/減壓工藝間的快速切換,以滿足客戶不同的工藝需求,提高了器件設計者在優化器件性能方面的靈活性。

  此外,面向需求廣泛的功率器件領域,北方華創還可提供SiC刻蝕、GaN刻蝕、介質刻蝕、高溫爐、LPCVD、PECVD以及PVD等關鍵設備。

  北方華創將繼續秉持以客戶需求為導向不斷創新的發展理念,把握機遇,迎接挑戰,為半導體產業注入源源不斷的科技力量,助力產業發展,提供無限可能!

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